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NVD5890N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
C rss
5
C iss
C oss
10
15
20
25
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
35
40
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
Q GS
10
20
V DS
Q DS
30
Q T
40
50
V GS
V DS = 15 V
I D = 50 A
T J = 25 ° C
60 70
20
15
10
5
0
80
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V GS = 10 V
V DD = 20 V
I D = 50 A
t d(off)
t f
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
t r
10
T J = 150 ° C
t d(on)
10
1
100 ° C
25 ° C
T J = ? 55 ° C
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
10
V GS ≤ 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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